CMP 공정용 Ceria
CERIA
CMP
PROCESS
반도체 CMP 공정에 사용되는 Ceria는
수nm ~ 수백nm 크기의 입자를 이용하여
연마 대상 막질을 화학적 기계적으로 연마하는 역할을 합니다.
한국 나노 오트 Ceria
Particle size: 5nm~60nm
Application: 반도체 CMP 공정용
특징
① Particle size에 따라 연마량 조절 가능
② Advanced Device 공정용으로 형상이 균일하고 입도 분포 편차가 적음
③ Silicon Nitride 및 Poly-Si 막질에 대한 선택비 제어
④ Defect(Scratch, Dishing)최소화
60nm 급 Ceria
국내 반도체 공정에서 현재 Calcinated ceria를 사용한 연마를 진행하며, 사용되는 입자는 Solvay chemical 독점 공급 체제임
반도체 구조의 복잡화 및 고층화 됨에 따라 Scratch 및 Defect의 중요성이 커짐에 따라 Calcination 소재에서 Colloidal 소재로 변화
한국 나노오트는 수중플라즈마 장치를 사용한 합성으로 Ceria 소재의 국산화 및 차세대 소재인 Colloidal Ceria 합성
5nm 급 Ceria
반도체 시장은 고밀도화, 고층화, 다층화 및 배선 미세화에 따른 초미세 크기의 Ceria가 요구되며, 이를 만족하기 위하여 수nm 크기의 ceria사용을 통한 Scratch, Defect 방지 및 미세화 배선 대응
한국 나노오트는 수중플라즈마 장치를 사용한 합성으로 차세대 Ceria 소재인 수nm크기의 colloidal ceria 입자 합성
